大容量NAND颗粒背后的秘密
展望未来：NAND的后续继任者们
10年间，Flash改变了我们对于存储的认识。如果没有它的诞生和快速发展，我们现在可能还随身携带着丑陋的软盘或者可擦写光盘；曾经庞大的使用30GB硬盘的iPod怎么也无法变成现在小巧的iPod；更不会出现能够令SATA 3Gbps带宽也捉襟见肘的固态硬盘。但是Flash也有它的固有缺陷—由于写入数据前需要先擦除，使得Flash写入性能始终无法和读取速度同日而语。而且Flash寿命始终停留在百万次之内。于是当我们试图代替易失性SRAM和DRAM时，Flash不得不让位于未来更新的存储器件：铁电存储器(F-RAM)、相变存储器(PCM)和磁性存储器(MRAM)。
F-RAM通过分子内的原子位置来储存数据。当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动；当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。
内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新，掉电后数据能够继续保存，速度快而且不容易写坏。
PCM是基于材料的电致相变。相变材料可呈现晶态和非晶两种状态，分别代表了0和1，只需施加很小的复位电流就可以实现这两种状态的切换，完成数据写入。而读取时由于非晶体和晶体有着绝然不同的电阻，因此通过对比电流大小就能读出数据。
MRAM则是以磁性单元为基础，相当于在MRAM芯片中内置海量的磁性单元，每个单元对应一个微型磁头。通过微型磁头改变磁性单元的电阻存入数据，而读出数据也是通过判断单元电流大小。
这三种新技术的耐用性明显优于闪存，它们的写入次数可达1亿次以上，写入速度也比闪存快，而读取速度大体上与闪存相似。不过F-RAM的功耗显著低于闪存、PCM和MRAM，这对于功率预算非常低的应用来说是一个有利因素。不过和成熟的闪存比，这三种新技术目前还处于初级发展阶段，F-RAM已经商用多年，但是始终无法得到大规模采用。PCM、MRAM也已经量产，但是应用领域还赶不上F-RAM。加上存储容量和成本完全没有竞争力，短期内还不能替代闪存技术。而且三种技术之间也存在激烈竞争，今后闪存、内存退役时，存储市场谁执牛耳，我们拭目以待。
