主板供电电路新星DirectFET MOSFET

DirectFET MOSFET性能实测

后让我们通过实际测试来看看DirectFET MOSFET的性能。如表所示，在拉载70A的输出电流下，采用DirectFET MOSFET的处理器供电电路转换效率可以达到85.83%，而一般电源方案的效率基本都在80%左右。

注：未加MOSFET散热片，测量MOSFET表面温度。

温度测试方面，我们采用配备DirectFET MOSFET的映泰I55主板与搭配TO 252的普通P55主板进行对比测试。测试前我们取下了MOSFET上的散热片，在系统满载运行半小时左右，测量上桥MOSFET与下桥MOSFET的温度。对比可以看出，二者表面温度有近21%的差距，DirectFET MOSFET的散热设计显然更有效。

总结

DirectFET MOSFET无疑具有出众的性能表现，但同时也有一些缺点，这些主要还是体现在设计上。首先，封装小且无引脚，各焊盘之间的距离非常小，如果在生产过程中，有出现偏位的情况，很有可能就会导致错接而烧坏MOSFET，有可能会进一步烧坏CPU和P55芯片，因此，对制程要求更高。同时，由于厚度限制，如果MOSFET加散热片，那附近就不能摆放稍微厚一点的零件例如电阻电容，更别说是芯片，而这些必须分散地放在背面，给生产带来麻烦。而焊盘小的情况也给布线带来一定的困难，因为和PCB接触的面积有限，像IRF6709的栅极和漏极之间甚至无法打过流的孔位。所以在大电流的情况下，如何解决大电流的传输途径也是工程师们要考虑的问题。后，较高的成本决定了这种MOSFET只会出现在高端定位的主板产品上，如第一款采用DirectFET MOSFET的消费级主板是映泰P55主板中的高端产品TPOWER i55。

总的来说，DirectFET量子芯封装是MOSFET封装的一种里程碑式创新，它在多项性能上有了一个大幅度的提高，国际整流器公司现在也已经授权其它的半导体公司使用此封装，而这种封装可以应用在各种集成度的PCB上，相信陆续会在更多的主板上见到DirectFET量子芯 MOSFET。