速度过千倍的非易失新闪存即将诞生！
2015-10-09lina-mc快科技
今年7月份，Intel联合美光推出了3D XPoint存储方案，从形式上颗粒可理解为“3D闪存”。
Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术，这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案，读取延迟10纳秒级别，使用寿命即全盘写入1000万次级别，介于传统DRAM、NAND之间。
令人印象深刻的是，Intel称基于3D XPoint非易失性存储方案，比传统NAND闪存速度快1000倍、寿命长1000倍、存储密度高10倍，号称1989年NAND闪存推出以来大的存储技术创新。
